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[资料] 失效分析微光显微镜

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发表于 2020-5-15 13:41:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
EMMI(微光显微镜)
      对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。

侦测到亮点之情况
会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面 反型层;5.硅导电通路等。
点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情 况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及 抛光处理。

测试范围:
故障点定位、寻找近红外波段发光点
测试内容:
1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃
2.饱和区晶体管的热电子
3.氧化层漏电流产生的光子激发
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题
北软检测芯片失效分析emmi.jpg





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